| 申请日期 | 2025-08-15 | 申请号 | CN201010536133.2 |
| 公开（公告）号 | CN101993240B | 公开（公告）日 | 2013-03-06 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 上海大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及采用一种放电等离子烧结技术(Sparkplasmasintering)实现Ce3+掺杂硅酸镥(Lu2SiO5)多晶闪烁光学陶瓷快速制备的方法，属稀土掺杂多晶闪烁陶瓷制备技术领域。本发明的特点是：以氯化镥(LuCl3)和正硅酸乙酯(Si(C2H5O)4)为起始原料，经适当的Sol-gel过程反应得到Ce : Lu2SiO5前驱沉淀物，随后在900-1300℃空气氛下进行煅烧合成，并在该温度下保温1～10小时，最终得到一次颗粒80～100纳米的单相Ce : Lu2SiO5发光粉体。采用放电等离子烧结(SparkPlasmaSintering)技术致密化方法，在较低的烧结温度(1350～1450℃下)快速完成致密化过程，保温时间为3～15分钟，得Ce : Lu2SiO5多晶陶瓷，再经1000℃空气气氛下(2～15小时)退火后，得到相对密度99.50％的半透明光学陶瓷，陶瓷的发光性能优良。 | ||
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