| 申请日期 | 2025-07-22 | 申请号 | CN201210383122.4 |
| 公开（公告）号 | CN102936735A | 公开（公告）日 | 2013-02-20 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中山大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种稀土配位聚合物薄膜的电化学制备及其应用。该稀土配位聚合物薄膜的制备方法包括两种途径：(A)电沉积耦合水热/溶剂热法：先在导电基底材料表面制备一层稀土氧化物或稀土氢氧化物薄膜；然后利用溶剂热或水热法，在稀土氧化物或氢氧化物的薄膜表面生长一层稀土配位聚合物薄膜；(B)直接电化学沉积法：通过选取合适的电解液体系，改变相关离子在电极上的超电势，直接在阴极上沉积得到稀土配位聚合物薄膜。本发明制备的稀土配位聚合物薄膜，既能保留配位聚合物的金属有机框架微孔结构，又能形成规整的薄膜形貌，有望在气体吸附、分子离子识别、择形催化、物质分离等方面得到应用。 | ||
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