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一种Ni-Cr磁控溅射靶材的制备方法 发明申请

2023-06-18 2910 1649K 0

专利信息

申请日期 2025-07-14 申请号 CN201210425953.3
公开(公告)号 CN102922233A 公开(公告)日 2013-02-13
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 南京达迈科技实业有限公司; 河海大学
简介 一种Ni-Cr磁控溅射靶材的制备方法,其靶材成分为80wt.%Ni和20wt.%Cr,通过真空熔炼、浇注、热锻、轧制、退火、机加工等工序制备,采用的原料是纯度为99.96%的电解镍,纯度为99.09%的金属铬,及少量稀土,其中稀土的组成为34.1wt.%La、65.74wt%Ce和少量杂质,通过在熔炼过程中添加0.05~0.4wt.%的稀土元素,并改变锻造形变量和轧制形变量(47.4~80.0%),获得致密度高、晶粒尺寸可在不大于80μm范围内调节且大小分布均匀的高质量Ni-Cr靶。使用本发明制备的Ni-Cr靶材,能有效提高Ni-Cr薄膜的质量以及薄膜沉积速率,该靶材可用于制作薄膜电阻、薄膜电阻应变计、太阳能光谱选择性吸收膜、低辐射镀膜玻璃等,其产品可广泛的应用于电子、能源、建筑等工业领域。


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