| 申请日期 | 2025-06-28 | 申请号 | CN201210483728.5 |
| 公开（公告）号 | CN102925154A | 公开（公告）日 | 2013-02-13 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | ||
| 简介 | 一种基于硫化物的三掺杂电子俘获材料及其制备方法，涉及发光及光存储技术领域，解决了现有的Eu2+, Sm3+双稀土掺杂的硫化物体系光激励发光强度弱、光存储性能低的问题。该电子俘获材料的化学式为Sr1-x-y-zEuxSmyRezS，其中，Re代表Er、Dy、Tm、Yb、Tb或Gd；x、y、z为元素摩尔分数，取值范围为：0.0001≤ x ≤ 0.02，0.0001 ≤y ≤ 0.02，0.0001≤z ≤ 0.006。本发明的电子俘获材料的电子存储量比硫化物Eu2+， Sm3+双掺杂材料中电子存储量提高了1～4倍，材料的光激励发光强度和存储性能都得到有效地提高，更能满足商品化的要求。 | ||
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