| 申请日期 | 2026-04-27 | 申请号 | CN201210448762.9 |
| 公开（公告）号 | CN102931494A | 公开（公告）日 | 2013-02-13 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 清华大学 | ||
| 简介 | 本发明属于电磁介质材料技术领域，特别涉及一种光频本征型超常电磁介质材料及其制备与应用方法。本发明以透明光学晶体为基质晶体，以三价稀土离子为掺杂离子，将两种稀土离子均匀掺杂在基质晶体中获得光频本征型超常电磁介质材料；利用所选则的两种稀土离子同一波长处的电偶极跃迁和磁偶极跃迁同时实现负介电常数和负磁导率，从而实现负折射率；电磁共振跃迁的激发波长由选所择的稀土离子的能级结构决定，处于300 nm~2000 nm的波长范围内。本发明可以在很大程度上简化材料制备工艺，实现光频的超常电磁响应，甚至可以获得负折射性质。 | ||
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