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稀土类永磁体的制造方法和稀土类永磁体 发明申请

2023-10-18 2880 2886K 0

专利信息

申请日期 2026-03-31 申请号 CN201180024008.6
公开(公告)号 CN102918611A 公开(公告)日 2013-02-06
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 独立行政法人物质 材料研究机构; 日立金属株式会社
简介 准备通过HDDR法进行制造并且平均晶体粒径从0.1μm到1μm、晶粒的长径比(长轴/短轴之比)为2以下的R-T-B系永磁体粉末(工序A)。R为相对于R整体含有95原子%以上的Nd和/或Pr的稀土类元素,T为Fe或将Fe的一部分取代为Co和/或Ni且含有50原子%以上Fe的过渡金属元素。另一方面,准备包括R’和Cu且Cu为2原子%以上50原子%以下的R’-Cu系合金粉末(工序B)。R’为相对于R’整体含有90原子%以上的Nd和/或Pr且不含Dy和Tb的稀土类元素。混合R-T-B系永磁体粉末和R’-Cu系合金粉末(工序C),之后,在不活泼气氛或真空中,在500℃以上900℃以下的温度,对混合粉末进行热处理(工序D)。


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