| 申请日期 | 2025-07-11 | 申请号 | CN200680047280.5 |
| 公开（公告）号 | CN101331621B | 公开（公告）日 | 2013-01-16 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 首尔半导体株式会社 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种发光装置，该发光装置包括：至少一个发光二极管，发射处于预定波长区的光；铜-碱土金属类无机混晶，由稀土激活，铜-碱土金属类无机混晶包括铜-碱土硅酸盐磷光体，铜-碱土硅酸盐磷光体设置在发光二极管周围，吸收从发光二极管发射的光的一部分，且发射波长与所吸收的光的波长不同的光。 | ||
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