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Hydrogen sensor to active layer and method for manufacturing hydrogen sensors. 发明申请

2023-05-02 2110 529K 0

专利信息

申请日期 2025-07-09 申请号 CH00119111
公开(公告)号 CH705070A2 公开(公告)日 2013-01-15
公开国别 CH 申请人省市代码 全国
申请人 SWATCH GROUP RES DEV LTD
简介 Hydrogen sensor including a substrate on which there is deposited an active layer of material comprising a first element selected from the rare earth family, a second element selected from the platinum group metals and a third element selected from the alkaline earth metal family.


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