| 申请日期 | 2025-06-24 | 申请号 | CN201910095042.0 |
| 公开（公告）号 | CN109735740A | 公开（公告）日 | 2019-05-10 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 河南科技大学 | ||
| 简介 | 一种添加有稀土的多相强化型电子封装材料，由以下重量百分比的组分构成：1.0～8.0%的镍，0.25～2%的硅、0.1～0.2%的铁、0.01～0.05%的磷、0.1～0.4%的镁、0.2%～0.6%的稀土元素，余量为铜和不可避免的杂质元素，所述的稀土元素为铈和钇中的一种或两种。本发明采用独特的制备工艺，通过在Cu‑Ni‑Si合金中添加合金元素Fe、P、Mg以及微量稀土元素Ce和Y，对铜合金整体进行了多相强化合金处理。制备出了一种抗拉强度较高，导电率可达63 IACS%以上，且各项综合性能优异的Cu‑Ni‑Si合金电子封装材料，以满足电子封装用铜合金的性能要求。 | ||
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