| 申请日期 | 2025-07-24 | 申请号 | CN201910172308.7 |
| 公开（公告）号 | CN109739070A | 公开（公告）日 | 2019-05-10 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中山职业技术学院 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶，其通过以下方法制备：采用稀土物质、钛源、可溶性镁盐、可溶性锂盐、甲基丙烯酸酯单体等为原料，通过高温水热反应制得钛酸镁锂改性甲基丙烯酸酯单体；然后将其参通过自由基聚合反应，合成制得以钛酸镁锂胶体粒子为“锚点”的高度支化的改性丙烯酸树脂；之后将改性丙烯酸树脂、产酸剂、助剂等充分分散均质，即制得流动性好、聚合度高、抗蚀刻性能优异的光刻胶成品。该光刻胶属于化学放大类，其在193nm深紫外光源下感光性能强，灵敏度好，分辨率达到0.09～0.11μm，光刻综合性能达到国际最先进水平，应用前景极为广阔。 | ||
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