| 申请日期 | 2026-04-18 | 申请号 | CN201210318924.7 |
| 公开（公告）号 | CN102864444A | 公开（公告）日 | 2013-01-09 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 西南交通大学 | ||
| 简介 | 本发明提供一种提高化学溶液法制备CeO2薄膜临界厚度的方法，依次由以下步骤构成：a、硝酸盐的制备：按稀土与铈的离子比x：1－x，0.01≤x≤0.5配制稀土硝酸盐与硝酸亚铈混合物；b、胶体制备：将配制的稀土硝酸盐与硝酸亚铈溶解在高分子有机溶剂中；c、胶体涂敷与干燥：将b步的胶体涂覆在织构基底上，后干燥；d、分解成相：将干燥样品放入通H2/Ar还原气氛的烧结炉中, 经过350oC－550oC分解，后升温至1000oC－1200oC成相，随炉冷却。本发明所述的提高化学溶液法制备CeO2薄膜临界厚度的方法其制作工艺简单、操作控制容易、成本低、不污染环境、制备的稀土掺杂的氧化铈单层缓冲层的临界厚度达到150-200nm。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
