| 申请日期 | 2025-07-09 | 申请号 | TW100148636 |
| 公开（公告）号 | TW201301404A | 公开（公告）日 | 2013-01-01 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 东芝股份有限公司 | ||
| 简介 | 半导体装置及半导体装置制造方法。根据一实施例, 场效电晶体可包含 : 包含浅沟槽隔离之半导体基板; p-FET(p型场效电晶体)及n-FET(n型场效电晶体); 矽锗层, 在该p-FET的上表面之凹处中; 包括铪化合物和稀土化合物之一对闸极介电质, 其配置在该矽锗层和该n-FET的该上表面上; 以及二者皆包括相同材料之一对闸极电极, 其配置在该对闸极介电质上。 | ||
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