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PREPARATION OF LANTHANIDE-CONTAINING PRECURSORS AND DEPOSITION OF LANTHANIDE-CONTAINING FILMS 发明申请

2023-06-26 2220 863K 0

专利信息

申请日期 2025-06-27 申请号 US13602717
公开(公告)号 US20120329999A1 公开(公告)日 2012-12-27
公开国别 US 申请人省市代码 全国
申请人 Venkateswara R PALLEM; Christian Dussarrat
简介 Methods and compositions for depositing rare earth metal-containing layers are described herein. In general, the disclosed methods deposit the precursor compounds comprising rare earth-containing compounds using deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition. The disclosed precursor compounds include a cyclopentadienyl ligand having at least one aliphatic group as a substituent and an amidine ligand.


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