| 申请日期 | 2025-07-07 | 申请号 | CN200910241946.6 |
| 公开（公告）号 | CN102103916B | 公开（公告）日 | 2012-12-19 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京有色金属研究总院; 有研稀土新材料股份有限公司 | ||
| 简介 | 一种钕铁硼磁体的制造方法，本发明磁体的成分通式为：R1R2FeMB，R1代表选自Nd、Pr、La、Ce、Sm、Sc、Y和Eu之中的至少一种元素，含量为23～35wt％；R2代表选自Tb、Dy、Gd、Ho之中的至少一种元素，含量为0.1～5wt％；M代表除Fe以外的过渡族金属，含量为0.01～5wt％；B为单质硼，含量为0.8～1.2wt％；余量为Fe及不可避免杂质。其制备步骤为：把金属R2中的一种或几种元素镀到磁体表面，然后通过一级高温热处理使所镀金属R2扩散到磁体内部，再通过二级低温回火消除高温处理带来的不平衡组织及内应力。其中镀膜所采用的方法为低温熔盐电沉积法。本发明的优点是：可以大大提高生产效率，降低磁体制备过程中重稀土用量，节约稀土资源，同时在不降低磁体剩磁和磁能积的情况下获得高矫顽力。 | ||
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