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氧化物半导体及其制造方法 发明申请

2023-01-21 1850 637K 0

专利信息

申请日期 2025-07-09 申请号 CN201210342862.3
公开(公告)号 CN102832235A 公开(公告)日 2012-12-19
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 华南理工大学; 广州新视界光电科技有限公司
简介 本发明实施例公开了一类可抑制过剩的本征载流子,且电学稳定性高氧化物半导体。本发明实施例的包括:AlxInyZnz氧化物和微量掺杂物;所述微量掺杂物包括:稀土元素,稀土元素的氧化物,4B族元素,4B族元素氧化物,5B族元素或5B族元素氧化物中的任意一种或两种以上的组合。


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