申请日期 | 2025-07-09 | 申请号 | CN201210342862.3 |
公开(公告)号 | CN102832235A | 公开(公告)日 | 2012-12-19 |
公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
申请人 | 华南理工大学; 广州新视界光电科技有限公司 | ||
简介 | 本发明实施例公开了一类可抑制过剩的本征载流子,且电学稳定性高氧化物半导体。本发明实施例的包括:AlxInyZnz氧化物和微量掺杂物;所述微量掺杂物包括:稀土元素,稀土元素的氧化物,4B族元素,4B族元素氧化物,5B族元素或5B族元素氧化物中的任意一种或两种以上的组合。 |
您还没有登录,请登录后查看下载地址
|