| 申请日期 | 2025-07-09 | 申请号 | CN201210342862.3 |
| 公开（公告）号 | CN102832235A | 公开（公告）日 | 2012-12-19 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 华南理工大学; 广州新视界光电科技有限公司 | ||
| 简介 | 本发明实施例公开了一类可抑制过剩的本征载流子，且电学稳定性高氧化物半导体。本发明实施例的包括：AlxInyZnz氧化物和微量掺杂物；所述微量掺杂物包括：稀土元素，稀土元素的氧化物，4B族元素，4B族元素氧化物，5B族元素或5B族元素氧化物中的任意一种或两种以上的组合。 | ||
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