| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | CN201210326645.5 |
| 公开（公告）号 | CN102832267A | 公开（公告）日 | 2012-12-19 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 西安隆基硅材料股份有限公司; 无锡隆基硅材料有限公司; 宁夏隆基硅材料有限公司; 银川隆基硅材料有限公司 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种含有上转换发光量子点的晶体硅的制备方法，包括以下步骤：步骤1.在太阳能级多晶硅原料中掺入稀土元素8ppbw~120ppmw，利用常规CZ法制得单晶硅，或利用常规铸锭法制得多晶硅，所述单晶硅或多晶硅中的稀土元素的原子数量浓度为1010~1016atoms/cm3；步骤2.将步骤1制得的单晶硅或多晶硅，在700℃~1000℃进行退火处理，得到含有上转换发光量子点的单晶硅或多晶硅，即成。本发明还公开了一种上述方法制备的晶体硅，单晶硅中或多晶硅中的稀土元素的浓度为1010~1016atoms/cm3。本发明方法增加了硅材料对红外光谱的吸收，转换效率显著提高。 | ||
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