| 申请日期 | 2025-07-12 | 申请号 | CN201210319836.9 |
| 公开（公告）号 | CN102795852A | 公开（公告）日 | 2012-11-28 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 天津大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种新型LTCC低频介质陶瓷电容器材料，原料组分及其摩尔百分比含量为63~98mol% BaTiO3+1~23mol%金属氧化物+1~14mol%二次添加剂；所述金属氧化物为aNb2O5+bCo3O4+cWO3+dMnCO3+eBi2O3+fRe2O3+gCuO其中的一种或者几种，其摩尔百分比为：0≤a≤5, 0≤b≤3, 0≤c≤1.5, 0≤d≤4, 0≤e≤7, 0≤f≤1, 0≤g≤1.5；式中Re2O3为镧系元素的稀土氧化物；所述二次添加剂为hLiF+iSiO2+j ZnO+kCaF2+lP2O5+m CaO+nBaO+oB2O3其中的一种或者几种，其摩尔百分比为：0≤h≤1, 0≤i≤1, 0≤j≤2, 0≤k≤2, 0≤l≤2, 0≤m≤2, 0≤n≤2, 0≤o≤2。本发明提供了一种烧结温度低(850℃~950℃)、介电常数高(室温25℃为3000左右)、介电损耗低(室温25℃为0.7%)，并能与高电导率的银或铜金属内电极共烧的满足国际电子工业协会EIAX7R标准的低频介质陶瓷电容器材料。 | ||
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