单晶立方倍半氧化物的制备方法及其用途发明申请

2023-11-09 3020 4875K 0

申请日期	2025-07-18	申请号	CN201080060438.9
公开（公告）号	CN102791910A	公开（公告）日	2012-11-21
公开国别	CN	申请人省市代码	全国
申请人	国立科学研究中心
简介	本发明涉及采用高温助熔剂生长技术制备块状或薄膜的掺杂有正三价镧系元素离子的钪、钇或者稀土金属的立方倍半氧化物单晶(空间群No.206, Ia-3)的方法，以及根据该方法获得的所述单晶的各种应用，特别是在光学领域中的应用。

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