| 申请日期 | 2026-04-27 | 申请号 | CN201110118699.8 |
| 公开（公告）号 | CN102775150A | 公开（公告）日 | 2012-11-14 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 昆山智集材料科技有限公司 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种陶瓷材料技术领域，具体是一种氧化镧氧化钇作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅(Si3N4)陶瓷的方法。其组分及质量百分比含量为：氧化镧3％～7％，氧化钇5％～8％，氮化硅85％～92％。目的在于克服现有技术的不足，提供一种氧化镧氧化钇作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅陶瓷的方法，可广泛用于化工、机械、冶金、航空航天等领域的零部件制备。 | ||
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