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金属冠醚单分子磁体的制备方法 发明申请

2023-09-07 4960 916K 0

专利信息

申请日期 2026-03-08 申请号 CN201910082750.0
公开(公告)号 CN109705151A 公开(公告)日 2019-05-03
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 黑龙江大学
简介 金属冠醚单分子磁体的制备方法,它涉及一种单分子磁体的制备方法。本发明的目的是要解决现有合成金属冠醚稀土配合物单分子磁体的方法存在产率低的问题。制备方法:将水杨羟肟酸、硝酸镝和硝酸镓溶解于甲醇中得到溶液A;将吡嗪加入到溶液A中,搅拌反应得到溶液B;再加入吡啶,室温搅拌得到预制体,将预制体进行溶剂挥发,即得到金属冠醚单分子磁体{Dy3+[Ga(III)MCshi]}。有益效果:一、具有良好反铁磁性的单分子磁体。二、制备方法简便、重复性强、产率高,达到50%以上。本发明主要用于制备金属冠醚单分子磁体{Dy3+[Ga(III)MCshi]}。


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