| 申请日期 | 2025-09-18 | 申请号 | CN201210161250.4 |
| 公开（公告）号 | CN102751231A | 公开（公告）日 | 2012-10-24 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 清华大学 | ||
| 简介 | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的有源区，所述有源区包括形成在所述半导体衬底中的沟道区，以及形成在所述沟道区两侧的源区和漏区；和形成在所述半导体衬底中、所述有源区两侧的隔离沟槽，所述隔离沟槽中形成有稀土氧化物层，所述稀土氧化物层对所述沟道区引入沿所述沟道区长度方向的应力。通过在半导体器件的沟槽隔离区域形成稀土氧化物层作为绝缘物，从而向半导体器件的特定区域引入应力，显著提升半导体器件的迁移率，并且，利用稀土氧化物的晶体特性，以晶体生长取代传统的复杂的绝缘物填充方式，极大地简化了工艺流程。 | ||
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