| 申请日期 | 2025-06-24 | 申请号 | CN201210228883.2 |
| 公开（公告）号 | CN102751437A | 公开（公告）日 | 2012-10-24 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京有色金属研究总院 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种免电激活的阻变存储器及其制备方法，属于半导体非易失性存储器技术领域。本发明的免电激活的阻变存储器，包括底电极、顶电极以及位于所述底电极和顶电极之间的阻变功能层材料，阻变功能层材料由一层稀土氧化物薄膜和一层过渡金属氧化物薄膜构成。本发明采用稀土氧化物薄膜和过渡金属氧化物薄膜双层薄膜作为阻变功能层，利用活性金属形成的原生氧化层以及稀土氧化物免激活特性，通过沉积过程中缺陷调控技术，获得了具有稳定电阻转变特性的免电激活的阻变存储器。 | ||
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