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荧光体 发明授权

2023-05-30 4430 478K 0

专利信息

申请日期 2025-06-25 申请号 CN200710300755.3
公开(公告)号 CN101230270B 公开(公告)日 2012-10-03
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 夏普株式会社
简介 本发明披露了一种以至少含有第一金属离子和第二金属离子的氧化物晶体作为基质的荧光体。所述第一金属离子包括选自铝、镓、钒、钪、锑和铟中的至少一种III价金属离子。所述III价金属离子被至少一种适于作发光体的III价稀土离子部分地置换。所述第二金属离子是除II价金属离子以外的金属离子。由于晶体场的反演对称性被有意破坏从而提高跃迁强度,荧光体具有经改善的发光量子效率。


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