| 申请日期 | 2025-07-26 | 申请号 | CN201210171955.4 |
| 公开（公告）号 | CN102709461A | 公开（公告）日 | 2012-10-03 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 杭州电子科技大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及一类含稀土拓扑热电材料的制备方法。化学通式为RXT3的单相材料很难通过通常的熔炼方法获得。本发明首先将稀土金属、VA族半导体材料和VIA族半导体材料按照摩尔比1 : 1 : 3混合后放入反应容器中，将反应容器抽真空后加热至900～1100℃，保温5～20小时，再自然冷却至常温，取出中间产物放入球磨机的球磨罐中，将球磨罐抽真空后球磨3～20小时，获得含稀土的拓扑热电材料粉体；将粉体在真空或氩气保护下烧结，获得致密的含稀土拓扑热电块体材料，其结构式为RXT3。本发明方法工艺简单、合成时间短、适用于工业化生产。利用本发明方法获得的材料的热导率低、密度高，并且具有良好的导电性。 | ||
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