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稀土掺杂Bi2Te3基热电薄膜材料的制备方法 发明授权

2023-03-29 2220 346K 0

专利信息

申请日期 2025-06-26 申请号 CN200910186513.5
公开(公告)号 CN101956158B 公开(公告)日 2012-09-26
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 九江学院
简介 本发明涉及一种稀土掺杂的Bi2Te3基热电薄膜材料,在真空熔炼时加入稀土元素,得到Bi2-xTe3REx块体热电材料,其中RE表示稀土元素,x=0.002-0.01,所掺入的稀土元素为轻稀土元素La、Ce,然后将熔炼好的材料研磨成200-300μm的粉末颗粒作为闪蒸法的原材料。采用闪蒸法来实现薄膜的制备,对沉积的薄膜进行退火处理,得到稀土掺杂的Bi2-xTe3REx热电薄膜材料。本发明的稀土掺杂的Bi2-xTe3REx热电薄膜材料的热电性能优于未掺杂的Bi2Te3热电薄膜材料,其掺杂机理是稀土元素具有碱土金属类似的性质,当稀土元素加入后,容易取代Bi位置,作为施主掺杂,提高载流子浓度,从而提高Bi2Te3基薄膜材料的热电性能。


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