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基于铥离子紫外上转换荧光的抗白光二极管干扰的测温方法 发明授权

2023-02-24 4830 462K 0

专利信息

申请日期 2025-06-27 申请号 CN201810091505.1
公开(公告)号 CN108061608B 公开(公告)日 2019-04-30
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 哈尔滨工业大学
简介 基于铥离子紫外上转换荧光的抗白光二极管干扰的测温方法,本发明涉及一种基于铥离子紫外上转换荧光的抗白光二极管干扰的测温方法。本发明的目的是为了解决现有测温技术会受到常见的白光二极管干扰的问题,方法为:激发源发出的激发光对Yb3+和Tm3+离子掺杂的纳米晶体NaYF4进行激发,监测不同温度下中心波长位于362nm和345nm的两个荧光带,进行积分,并作出函数关系,将样品放置于待测环境,得到两个荧光带的强度比值,代入到函数中即得温度值。本发明能够进行抗白光二极管干扰的温度测量,从而得出更加精准的结果。本发明应用于稀土荧光测温领域。


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