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一种沸石单层薄膜及其制备方法 发明授权

2023-07-29 2990 1059K 0

专利信息

申请日期 2025-06-25 申请号 CN200910069617.8
公开(公告)号 CN101601973B 公开(公告)日 2012-09-05
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 河北工业大学
简介 本发明一种沸石单层薄膜及其制备方法,涉及以无机材料为特征的半透膜,它是一种发光c-轴取向L型沸石单层薄膜,由载体、发光分子连接体和沸石组成,将易于跟沸石晶体和载体形成共价健的发光分子连接体,与L型沸石和载体设计定向合成,实现了c-轴取向,并实现稀土有机配合物客体分子在单层薄膜中的超分子组装,由此制得了一种发光c-轴取向L型沸石的单层薄膜。该产品可以将染料分子填充在L型沸石晶体的管道中制成可以进行光化学转换和贮存太阳能的系统,用于制备光电池、高立体分辨率电子屏幕。


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