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光电器件及其制造方法和其材料 发明授权

2023-05-02 2590 1171K 0

专利信息

申请日期 2025-07-08 申请号 CN201480048236.0
公开(公告)号 CN105659406B 公开(公告)日 2019-04-23
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 伦敦大学 玛丽皇后与西田学院
简介 具有包含稀土或过渡金属离子的区域用于生成预定波长的辐射的光电信号转换器件。所述区域包含含有适于增强辐射的发射的配体的有机配合物和与辐射源的波长可分开同时操作的发色团,所述辐射源的波长不大于所述预定所需的辐射的波长。可以激发所述发色团与所述稀土或过渡金属离子的较高允许的能态交联耦合,从而通过随后的所述离子至允许的较低能态的衰变来生成所述预定所需的辐射。


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