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稀土掺杂硫系(卤)薄膜材料、制备方法及应用 发明申请

2023-01-15 2790 454K 0

专利信息

申请日期 2025-08-15 申请号 CN201210054997.X
公开(公告)号 CN102603190A 公开(公告)日 2012-07-25
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 南京大学
简介 一种稀土掺杂的硫系(卤)薄膜材料,在锗镓基的硫系(卤)薄膜中共同掺杂两种稀土离子,即三价稀土离子铥Tm3+和镝Dy3+;所述的薄膜材料是无定形的;形成近红外多波段发射特征的光学有源薄膜材料;其薄膜材料的化学组成与其玻璃块体靶材基本保持一致,玻璃基础靶材的组成为:GeS2 : 72mol%;Ga2S3 : 18mol%;CdI2 : 10mol%,且Tm3+和Dy3+的掺杂浓度为玻璃基础靶材重量比的1.0±0.2wt%和0.4±0.1wt%。在808nm波长的激光二极管泵浦下可以实现薄膜样品的高带宽发射。本发明所得到的无定形硫系(卤)薄膜材料组分均匀、易控制;材料制备参数易调整。


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