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稀土元素双掺纳米晶In2O3基热电陶瓷材料的制备方法 发明申请

2023-03-02 1380 2467K 0

专利信息

申请日期 2025-07-08 申请号 CN201110431492.6
公开(公告)号 CN102603270A 公开(公告)日 2012-07-25
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院
简介 本发明是一种稀土元素双掺纳米晶In2O3基热电陶瓷材料的制备方法,该方法以In2O3、ZnO和镧系氧化物作为原材料,采用固相低温合成前驱体粉末,然后通过低温放电等离子烧结(SPS)陶瓷块体材料。该方法能够简单、方便、精确地制备出In2-2xZnxRxO3(R为镧系元素,0.0025≤x≤0.04)纳米晶陶瓷材料,通过组分掺杂元素和非化学计量比控制材料载流子浓度和主要载流子种类,提高热电性能,在800℃下其ZT最大值可以达到0.40。


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