| 申请日期 | 2026-04-24 | 申请号 | CN200980161790.9 |
| 公开（公告）号 | CN102612736A | 公开（公告）日 | 2012-07-25 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | ||
| 简介 | 制造一种包括n沟道型MISFET(Qn)的半导体器件，该n沟道型MISFET(Qn)具有含有铪、稀土类元素和氧作为主要成分的作为高介电常数栅绝缘膜的含Hf绝缘膜(5)和作为金属栅电极的栅电极(GE1)。含Hf绝缘膜(5)是从下面起依次形成含有铪和氧作为主要成分的第一含Hf膜、含有稀土类元素作为主要成分的稀土类膜、和含有铪和氧作为主要成分的第二含Hf膜，使它们发生反应而形成的。 | ||
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