| 申请日期 | 2025-06-28 | 申请号 | CN200910114388.7 |
| 公开（公告）号 | CN101659545B | 公开（公告）日 | 2012-07-18 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 桂林电子科技大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及热敏电阻材料，具体涉及以BaBiO3为基础相的陶瓷材料及其制备方法。所述铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷，其化学通式为(Ba1-xAx)(SbyBi1-y)O3，式中A为稀土金属元素，0＜x≤0.01，0＜y＜0.1。该半导体陶瓷可采用传统电子陶瓷制备工艺制备，具体包括配料，焙烧，造粒，压型，烧成和电极制备6个步骤。与现有技术相比，本发明铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷制备工艺简单，导电性能良好，室温电阻率和温度系数可调，克服了现有负温度系数热敏电阻陶瓷材料室温电阻率大的不足，可实现室温电阻率为35Ω·cm，而温度系数B值为3147K的以BaBiO3为基础相的负温度系数热敏电阻半导体陶瓷。 | ||
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