| 申请日期 | 2025-06-28 | 申请号 | CN201710961812.6 |
| 公开（公告）号 | CN109666480A | 公开（公告）日 | 2019-04-23 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种稀土掺杂SiAlON发光薄膜及其制备方法，所述薄膜以SiAlON半透明陶瓷靶材为基质、稀土氧化物靶材为发光离子源，通过磁控溅射在基片上共沉积制备，所述薄膜在紫外光激发下发射蓝光。本发明的稀土掺杂SiAlON发光薄膜还具有优良的力学性能，在发光和显示器件方面有潜在的应用前景。 | ||
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