| 申请日期 | 2025-07-01 | 申请号 | CN201110441182.2 |
| 公开（公告）号 | CN102585804A | 公开（公告）日 | 2012-07-18 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 天津理工大学 | ||
| 简介 | 一种蓝紫光芯片激发的660纳米红光荧光材料，为稀土离子掺杂的含镁硅酸盐，其中掺杂的Eu2+和Mn2+为发光中心，发射峰的峰位分别在430和660纳米处；该荧光材料采用喷雾生产法制备，包括胶体的制备、雾化、干凝胶颗粒的高温微波灼烧。本发明的优点是：荧光体成分混合均匀，热稳定和化学稳定高，荧光体颗粒小仅为5-15微米，不需球磨并且可以通过控制雾化参数改变荧光材料颗粒的大小；该荧光粉料用蓝紫光的InGaN芯片激发可以同时发出波长为660纳米的红光和430纳米的蓝光，可用于暖白光LED和植物照明LED封装所需要的660纳米的红光；制备方法中原料成本低，灼烧温度低、节能、环保，适应于大规模工业化生产。 | ||
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