| 申请日期 | 2025-06-28 | 申请号 | CN201210057151.1 |
| 公开（公告）号 | CN102586870A | 公开（公告）日 | 2012-07-18 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 长春理工大学 | ||
| 简介 | 掺钬氟化钆钇钡晶体及其生长方法属于光电子材料技术领域。现有Ho : BaY2F8晶体掺杂浓度低，尺寸小、晶体形貌差。本发明之掺钬氟化钆钇钡晶体属于单斜晶系，以稀土元素钬为激活离子，晶体基质为氟化钆钇钡，掺钬氟化钆钇钡晶体分子式为Ho : BaYGdF8。本发明之掺钬氟化钆钇钡晶体生长方法包括生长料制备、晶体生长以及退火三个步骤。在生长料制备步骤中，提供F、Gd、Y、Ba元素的原料及摩尔比为BaF2∶GdF3∶YF3＝1∶1∶1，确定HoF3为x摩尔，GdF3为(1-x)摩尔，BaF2为1摩尔，其中x的取值范围为0.005mol≤x≤1mol；在晶体生长步骤中，晶体生长工艺参数确定为：提拉速度0.3～0.8mm/h，旋转速度3～10rpm，生长温度880～903℃。 | ||
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