| 申请日期 | 2025-07-11 | 申请号 | CN201811188728.6 |
| 公开（公告）号 | CN109671547A | 公开（公告）日 | 2019-04-23 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | ||
| 简介 | 本发明提供一种降低了重稀土元素的含量并且具有高Br和高HcJ的R－T－B系烧结磁体的制造方法。本公开的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备R1－T1－B系烧结体的工序；准备R2－Si系合金的工序；和使上述合金中的至少一部分与上述烧结体的表面中的至少一部分接触，在真空或不活泼气体气氛中，以450℃以上1100℃以下的温度实施热处理的工序。 | ||
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