| 申请日期 | 2025-07-12 | 申请号 | CN201110455998.0 |
| 公开（公告）号 | CN102559192A | 公开（公告）日 | 2012-07-11 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 电子科技大学 | ||
| 简介 | 用于刻蚀微波介质薄膜的刻蚀液及制备方法，涉及微电子技术领域。本发明的刻蚀液以质量比计算，其组分为：HBF4∶HNO3∶H2O＝1∶x∶5，其中0.5≤x≤3；其中，HBF4的浓度为3.2％～9.6％，HNO3的浓度为65％～68％。本发明的有益效果是，采用本发明刻蚀的含稀土氧化物微波介质薄膜，边缘清晰，侧蚀比小。 | ||
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