| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN201010577520.0 |
| 公开（公告）号 | CN102011188B | 公开（公告）日 | 2012-07-04 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 上海大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及稀土正铁氧体(RFeO3)光磁功能晶体生长研究领域，光学浮区二次熔融法是此类材料在现阶段比较可行的一种全新的、高效的生长方法。它以高纯度的氧化铁、稀土氧化物为原料按照化学配比经过研磨、烧结、等静压等工艺流程得到料棒，再将其置于光学浮区炉中，在空气气氛中进行生长。经过本方法所得的单晶表面不论光洁度、致密度、均匀性都很理想，其特征峰明显增强，半高宽(FWHM)明显减小，从而显著提高晶体结晶质量，更容易得到纯相的完整RFeO3晶体；同时，此方法的效率很高，生长速度可以根据不同的应用目的在1－9mm/h范围内适当调节，这是提拉法、水热法、下降法、等传统方法无法达到的。 | ||
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