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一种稀土离子掺杂硅酸镥多晶薄膜的制备方法 发明申请

2023-07-07 2180 1205K 0

专利信息

申请日期 2026-04-21 申请号 CN201110339852.X
公开(公告)号 CN102503549A 公开(公告)日 2012-06-20
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 上海大学
简介 本发明涉及一种稀土离子Re3+(Re=Ce, Tb)掺杂的Lu2SiO5(LSO)多晶发光薄膜的制备方法,属稀土化合物发光薄膜制备工艺技术领域。本发明方法的特点是以氯化镥、无水乙醇、正硅酸乙酯、硝酸铽、硝酸铈为原料,以柠檬酸为络合剂,采用Pechini溶胶凝胶法获得LSO : Re3+前驱体溶胶,将该前躯体溶胶旋涂、热处理后获得前躯体薄膜,置于马弗炉中在800-1200°C下进行煅烧处理,并保温2小时,然后在空气中自然冷却,最终获得Ce3+或Tb3+离子掺杂的硅酸镥多晶发光薄膜。本发明方法的优点是合成温度低、掺杂均匀、设备价格低以及制备工艺简单,制得的薄膜表面光滑平整、无裂纹且具有良好的显微结构和光学性能。


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