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PEROVSKITE MANGANESE OXIDE THIN FILM AND PRODUCTION METHOD FOR SAME 发明申请

2023-11-03 2640 1106K 0

专利信息

申请日期 2025-06-29 申请号 WOJP11077356
公开(公告)号 WO2012077518A1 公开(公告)日 2012-06-14
公开国别 WO 申请人省市代码 全国
申请人 Fuji Electric Co Ltd; OGIMOTO Yasushi
简介 [Problem] To provide a perovskite manganese oxide thin film that : (1) is capable of primary phase transition; and (2) is ordered at the A site. [Solution] The present invention provides a perovskite manganese oxide thin film (2) that includes Ba and a rare earth element at the A site formed on top of a substrate (1) and which has an (m10) orientation satisfying (m=2n; 9≧n≧1).


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