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Superconductor fabrication 发明授权

2023-09-25 4510 989K 0

专利信息

申请日期 2025-06-28 申请号 US13173267
公开(公告)号 US8193122B2 公开(公告)日 2012-06-05
公开国别 US 申请人省市代码 全国
申请人 David Anthony Cardwell; Nadendla Hari Babu; Yun Hua Shi
简介 A seed crystal for the fabrication of a superconductor is grown from a rare-earth oxide having the basic formula XwZtBaxCuyOz, X comprising at least one rare-earth element and Z being a dopant which raises the peritectic decomposition temperature (Tp) of the oxide. In a preferred embodiment, the dopant is Mg. Use of this rare-earth oxide material for seed crystals increases the temperature at which cold-seeding can be performed and thus enables the growth of a wider range of bulk superconductor materials by this process.


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