| 申请日期 | 2025-06-30 | 申请号 | TW096110749 |
| 公开（公告）号 | TWI365511B | 公开（公告）日 | 2012-06-01 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明提供一种半导体装置，例如一电晶体或电容。该装置包含：一基板；一闸极介电层，位於该基板之上；及，一导电性闸电极薄膜，位於该闸极介电层之上。该闸极介电层，包含一混合稀土氧化物薄膜、混合稀土氮化物薄膜或混合稀土氧氮化物薄膜，此薄膜具有至少2种不同的的稀土金属元素。 | ||
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