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R-T-B类烧结磁体及其制造方法 发明授权

2023-10-20 2010 776K 0

专利信息

申请日期 2025-07-10 申请号 CN200910207999.6
公开(公告)号 CN101694798B 公开(公告)日 2012-05-30
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 TDK株式会社
简介 本发明的目的在于:使采用带坯连铸法制作的原料合金的结晶组织更为均匀,由此使由该原料合金得到的粉碎粉末微细化且缩小粒度分布的范围,藉此获得高顽磁力的R-T-B类烧结磁体。所述R-T-B类烧结磁体用原料合金具有由R2T14B化合物构成的晶粒,并且P和/或S的含量为100~950ppm。该原料合金优选的组成是,R:25~35wt%、B:0.5~4wt%、Al和Cu之中的1种或2种:0.02~0.6wt%、Co:5wt%或以下、余量基本上是Fe。其中,R是选自稀土类元素之中的1种、2种或更多种元素,T是含有Fe、或者Fe和Co的选自过渡金属元素之中的1种、2种或更多种元素。


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