| 申请日期 | 2025-07-10 | 申请号 | CN201010523592.7 |
| 公开（公告）号 | CN101949061B | 公开（公告）日 | 2012-05-30 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种无机化合物晶体及制造技术领域，提供了一种稀土掺杂硼酸镥钪单晶的浮区法生长方法。本发明成功利用浮区法获得晶体质量较好的稀土掺杂硼酸镥钪单晶，该单晶的结构式为(Lu1-xScx)1-yMyBO3，其中：0.1≤x≤0.7，0 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
