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Crystal Growth Atmosphere For Oxyorthosilicate Materials Production 发明申请

2023-06-30 2540 651K 0

专利信息

申请日期 2025-06-24 申请号 US12953582
公开(公告)号 US20120126171A1 公开(公告)日 2012-05-24
公开国别 US 申请人省市代码 全国
申请人 Mark S Andreaco; Piotr Szupryczynski; A Andrew Carey
简介 A method of growing a rare-earth oxyorthosilicate crystal, and crystals grown using the method are disclosed. The method includes preparing a melt by melting a first substance including at least one first rare-earth element and providing an atmosphere that includes an inert gas and a gas including oxygen.


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