| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN201010192338.3 |
| 公开（公告）号 | CN101864595B | 公开（公告）日 | 2012-05-23 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 长春理工大学 | ||
| 简介 | 掺铒氟化钆锂晶体及其生长方法，属于光电子材料技术领域。现有掺铒氟化钇锂晶体因离子半径匹配方面的原因，掺杂浓度低；在生长这种晶体的过程中，由于氟化钇锂熔点高，原料挥发严重，难以生长出大尺寸的晶体。本发明之掺铒氟化钆锂晶体属于四方晶系，以稀土铒为激活离子，所述掺铒氟化钆锂晶体分子式为Er : LiGdF4，晶体基质为氟化钆锂；其生长方法特征在于LiF按LiF∶GdF3＝16.5～17∶7.76～8过量加入，晶体生长工艺参数确定为提拉速度：0.3～0.8mm/h，旋转速度：3～10rpm，生长温度：745～755℃。掺铒氟化钆锂晶体是一种激光晶体，适用于大功率固体激光器。 | ||
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