| 申请日期 | 2025-06-28 | 申请号 | CN201080033773.X |
| 公开（公告）号 | CN102471137A | 公开（公告）日 | 2012-05-23 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 旭硝子株式会社 | ||
| 简介 | 本发明提供在不降低与半导体基板的反应性以及粘接性的情况下能够抑制玻璃成分(金属氧化物)的还原所引起的金属的析出的半导体器件用密封玻璃、密封材料、密封材料糊料。半导体器件用密封玻璃由软化点在430℃以下的低熔点玻璃形成。低熔点玻璃含有以质量比计在0.1～5％的范围的选自Fe、Mn、Cr、Co、Ni、Nb、Hf、W、Re以及稀土元素的至少一种金属的氧化物以及以质量比计在5～100ppm的范围的K2O。并且，在上述例举的金属中还可以追加Mo。半导体器件用密封材料含有密封玻璃和以体积比计在0～40％的范围的无机填充材料。半导体器件用密封材料糊料由密封材料和载体的混合物形成。 | ||
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