| 申请日期 | 2025-07-07 | 申请号 | CN201080030743.3 |
| 公开（公告）号 | CN102473515A | 公开（公告）日 | 2012-05-23 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | ||
| 简介 | 本发明在于提供一种R-T-B类烧结磁体的制造方法，其包括：准备R-T-B类烧结磁石体(1)的工序；准备含有重稀土元素RH(Dy和Tb中的至少1种)的金属或合金的RH扩散源(2)的工序；向处理室(3)内装入烧结磁石体(1)和RH扩散源(2)，使其能够相对移动并且能够接近或接触的工序；和RH扩散工序，使R-T-B类烧结磁石体(1)和RH扩散源(2)边在处理室(3)内连续地或断续地移动，边进行10分钟以上500℃以上、850℃以下的热处理。 | ||
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