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在稀土氧正硅酸盐晶体的生产过程中晶体生长不稳定性的抑制 发明申请

2023-05-15 3560 788K 0

专利信息

申请日期 2025-09-16 申请号 CN201110292339.X
公开(公告)号 CN102443844A 公开(公告)日 2012-05-09
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 美国西门子医疗解决公司
简介 在稀土氧正硅酸盐晶体的生产过程中晶体生长不稳定性的抑制。公开的是生长稀土氧正硅酸盐晶体的方法和使用该方法生长的晶体。通过熔化包含至少一种稀土元素的第一种物质和熔化包含至少一种元素周期表的第7族的元素的第二种物质来制备熔体。晶种与熔体的表面接触,然后抽拉以生长该晶体。


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