| 申请日期 | 2025-09-15 | 申请号 | TW099134154 |
| 公开（公告）号 | TW201215582A | 公开（公告）日 | 2012-04-16 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 私立辅仁大学 | ||
| 简介 | 本发明系提供一种单晶相铁酸铋陶瓷制程及其增加铁电与铁磁性质之方法，其特色在於特殊环境之条件及烧结方式，可直接形成铁酸铋陶瓷而达到单一晶相，不需藉由额外清除杂质之步骤方法，其拥有极佳的再造性，能够被大量地生产制造；此外，本发明提供了数种掺杂物之种类及其合成方法，可有效地改善铁酸铋材料漏电之现象，本方法系为在铁酸铋晶体制造过程中分别掺入钛酸钡和稀土族元素，藉此减少漏电现象，以提升铁酸铋陶瓷之铁电与铁磁性质。 | ||
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